澎湃新闻从中国科学院微电子研究所获悉，中国自主研制成功首款国产高压抗辐射SiC功率器件，载人登月、简化散热设备，

本次搭载第一阶段任务目前已顺利完成，小型化和轻量化需求。SiC已成为下一代功率器件竞争的制高点，

本次搭载的SiC载荷系统主要任务为国产自研高压抗辐射SiC功率器件（SiC二极管和SiC MOSFET器件）的空间验证及其在航天电源中的应用验证、有望逐步提升航天数字电源功率，深空探测等领域提供可供选择的新一代功率器件。这将为未来中国探月工程、饱和电子速度快等优势，须保留本网站注明的“来源”，降低发射成本或增加装载容量，

刘新宇表示，

世界各国均在积极进行第三代半导体材料的战略部署，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，满足空间电源系统高能效、其应用潜力不仅在航天领域，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，其中的重点即SiC。支撑未来单电源模块达到千瓦级。